RAMのタイミングとは何ですか？なぜそれが重要なのですか？

RAMはコアコンピュータコンポーネントですが、それについてはあまり説明しません。 radヒートスプレッダの設計とRGBアクセサリがない場合、RAMが太陽の下で1日を過ごすことはめったにありません。 CPUは、ビルドの残りの部分が動作する条件を設定しますが、より高速なRAMを使用して、PCからもう少し速度を上げることができます。クロック速度とタイミング、またはレイテンシの両方がRAMの速度を決定します。

RAMのクロック速度を見つける

RAMの速度は、CPU-ZなどのソフトウェアまたはBIOS/UEFI内のボックスまたはモジュールで確認できます。 RAMモジュールのフルネームは次のようになります。

DDR4 3200 (PC4 25600)

DDR4は、チップが互換性のあるDDRの生成を記述します。同じ番号（2、3、または4）がPC番号に表示され、同じことを説明します。

最初の4桁の数字（この例では3200）は、RAMのクロック速度をメガヘルツで表すとよく言われます。これは実際には少しマーケティング上の問題ですが、悪くはありません。誤解はPCOEMや小売業者によって直接助長されています。その数値は実際にデータレートを報告します 、1秒あたりのメガ転送数、または10 ⁶ で測定 1秒あたりのデータ転送操作。

DDR RAMでは、実際のクロック速度はデータレートの半分（この例では1600 MHz）ですが、それでもRAMの内部クロック速度である400 MHzから、乗法プリフェッチビットによってステップアップされます。ただし、DDRはクロックのティックごとに2回データを転送するため、効果的 クロック速度は実際のクロック速度の2倍と言えます。その結果、データレートは、RAMの見かけのクロック速度（MHz）と同じように有効になります。

PC番号（この例では25600）は、メガバイト/秒（MB / s）で測定された転送速度を示しています。データレート（メガ転送単位）にI / Oバスの幅（最新のマザーボードでは64ビット）を掛けることで、可能な最大転送速度を決定できます。

3200メガ転送/秒x64ビット/転送/8ビット/バイト=25600MB/秒

各数値は、RAMの速度を個別に示します。ただし、どちらの数値も同じ情報を異なる形式で提供します。

RAMのタイミングとは何ですか？

タイミングは、RAM速度を測定するもう1つの方法です。タイミングは、RAMチップ上のさまざまな一般的な操作間のレイテンシを測定します。レイテンシーは、操作間の遅延です。それは「待ち時間」と考えることができます。最小タイミングは仕様によって設定されているため、各DDR仕様で可能な最速のRAMタイミングの表を読み取ることができます。

RAMのタイミングをクロックサイクルで測定します。小売業者は、16-18-18-38のように、タイミングをダッシュ​​で区切った4つの数字としてリストします。数値が小さいほど高速です。番号の順序から、その意味がわかります。

最初の番号：CASレイテンシー（CL）

メモリがCPUに応答するのにかかる時間は、CASレイテンシ（CL）です。しかし、CLを単独で考えることはできません。この式は、CLタイミングをナノ秒に変換します。これはRAMの転送速度に基づいています：

(CL/Transfer Rate) x 2000

その結果、CLが短い場合、RAMの速度が遅いと、実際のレイテンシが低くなる可能性があります。

2番目の番号：T _RCD

RAMモジュールは、アドレス指定にグリッドベースの設計を使用します。行と列の番号の共通部分は、特定のメモリアドレスを示します。行アドレスから列アドレスへの遅延（T _RCD ）メモリに新しい行を入力してから、その中の列にアクセスし始めるまでの最小遅延を測定します。これは、RAMがアドレスに「到達」するのにかかる時間と考えることができます。以前に非アクティブだった行から最初のビットを受信するのにかかる時間はT_RCDです。 +CL。

3番目の番号： T _RP

行のプリチャージ時間（T _RP ）メモリ内の新しい行を開くために必要な遅延を測定します。技術的には、プリチャージコマンドを発行して1つの行をアイドル状態（または閉じる）にしてから、アクティブ化コマンドを発行して別の行を開くまでの待ち時間を測定します。多くの場合、2番目の番号と同じです。同じ要因が両方の操作の待機時間に影響します。

4番目の番号： T _RAS

行アクティブ時間（T _RAS ）データを適切に書き込むために行が開いたままでなければならない最小サイクル数を測定します。技術的には、行のアクティブ化コマンドと同じ行のプリチャージコマンドの発行の間の遅延、または行を開いてから閉じるまでの最小時間を測定します。 SDRAMモジュールの場合、T _RCD +CLはT_RASを計算します 。

結論

これらのレイテンシはRAMの速度を制限します。しかし、RAMの仕様は、物理学ではなく、限界を設定します。 RAMを管理するメモリコントローラーはこれらのタイミングを強制します。つまり、調整可能です（マザーボードで許可されている場合）。タイミングを数サイクルオーバークロックして締めることで、RAMからパフォーマンスを得ることができる場合があります。

RAMのオーバークロックは、ハードウェアのオーバークロック技術の中で最も気質が高く、最も多くのフリーズと実験が必要です。ただし、RAMを高速化すると、RAMにバインドされたワークロードの処理時間が短縮され、レンダリング速度と仮想マシンの応答性が向上します。